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公开/公告号CN113176485A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-27
原文格式PDF
申请/专利权人 湘潭大学;
申请/专利号CN202110412508.2
发明设计人 郭红霞;冯亚辉;潘霄宇;欧阳晓平;钟向丽;张晋新;刘晔;张鸿;
申请日2021-04-16
分类号G01R31/26(20140101);
代理机构11489 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙);
代理人郑久兴
地址 411100 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
入库时间 2023-06-19 12:00:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-10-31
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01R31/26 专利申请号:2021104125082 申请公布日:20210727
发明专利申请公布后的驳回
机译: 硅锗基极和具有硅锗基极的异质结双极晶体管
机译: 具有自对准硅锗锗外基的异质结双极晶体管的结构和方法
机译: 使用二氧化硅回蚀的自对准非选择性薄外延薄锗基硅锗(SiGe)异质结双极晶体管BicMOS工艺
机译:硅锗BiCMOS技术中硅锗异质结双极晶体管性能下降的表征
机译:硅局部氧化中的激光诱导单事件瞬态和深沟槽隔离硅锗异质结双极晶体管
机译:具有饱和效应的绝缘体上硅薄硅锗异质结双极晶体管的器件模型
机译:外延基硅锗锗异质结双极晶体管的静电放电特性
机译:硅/硅(1-y)碳(y)和硅/硅(1-x-y)锗(x)碳(y)异质结构的能带工程及其在PNP异质结双极晶体管(碳化硅,碳化硅锗)中的应用。
机译:堆叠式硅锗系统减少多针孔SPECT中的多工伪像:仿真研究
机译:锗在锗注入制备的siGe异质结双极晶体管多晶硅发射极中的扩散
机译:硅锗(siGe)异质结双极晶体管(HBT)在移动技术平台中的作用