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芯片结构、成膜方法、纳米孔测序装置及应用

摘要

本申请公开了一种芯片结构、成膜方法、纳米孔测序装置及应用,该芯片结构包括:基底层和排油通道。基底层的第一表面包括第一功能膜层结构,第一功能膜层结构内包括阵列分布的结构单元,相邻的结构单元彼此连通;排油通道的第一端与第一功能膜层结构连通,排油通道限定非极性溶剂能够通过。排油通道对非极性溶剂的通透能力高,对极性溶剂的通透能力低,可以传导和排除多余的非极性溶剂。在大气压条件下,排油通道可使得非极性溶剂与极性溶剂相对分离。非极性溶剂可从含量高的区域向含量低的区域定向移动。第一功能膜层结构的相邻的结构单元彼此连通,结构单元内的非极性溶剂可渗出,并经排油通道排出,因而结构单元的薄膜层厚度均一且厚度较薄。

著录项

  • 公开/公告号CN113070113B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都齐碳科技有限公司;

    申请/专利号CN202110617078.8

  • 发明设计人 任世龙;张喆;宋璐;

    申请日2021-06-03

  • 分类号B01L3/00(20060101);C12M1/34(20060101);

  • 代理机构11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人李杰

  • 地址 610093 四川省成都市高新区天府大道北段1480号1栋A座3层9号附5号

  • 入库时间 2022-08-23 12:20:00

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