公开/公告号CN108695328B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 联华电子股份有限公司;
申请/专利号CN201710217036.9
申请日2017-04-05
分类号H01L27/11(20060101);H01L21/8244(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陈小雯
地址 中国台湾新竹市
入库时间 2022-08-23 12:19:47
机译: 堆叠式随机存取存储器单元及其形成方法,以及静态随机存取存储器阵列及其形成方法
机译: 用作静态随机存取存储器的半导体存储器件具有存储数据的存储单元,其中该存储单元包括具有负载元件和具有N沟道金属氧化物半导体晶体管的驱动元件的逆变器。
机译: 静态随机存取存储器(SRAM)及其形成方法