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静态随机存取存储器元件及形成方法

摘要

本发明公开一种静态随机存取存储器元件及形成方法,该静态随机存取存储器元件包含二基体接触插塞以及二电阻切换装置。基体接触插塞设置于一晶片中且自晶片的一背面暴露出,其中基体接触插塞在晶片中经由金属内连线结构电连接一静态随机存取存储器单元。电阻切换装置自晶片的背面分别连接基体接触插塞。本发明还提供一种形成静态随机存取存储器元件的方法,包含下述步骤。首先,提供一晶片,晶片具有二基体接触插塞自晶片的一背面暴露出,且具有金属内连线结构电连接基体接触插塞至一静态随机存取存储器单元。接着,形成二电阻切换装置自晶片的背面分别连接基体接触插塞。

著录项

  • 公开/公告号CN108695328B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 联华电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201710217036.9

  • 发明设计人 何万迅;邢溯;

    申请日2017-04-05

  • 分类号H01L27/11(20060101);H01L21/8244(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陈小雯

  • 地址 中国台湾新竹市

  • 入库时间 2022-08-23 12:19:47

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