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具有无势垒结构的氧化钨电阻式随机存取存储器

摘要

本揭露提供一种基于氧化钨存储元件的存储装置及其制造方法。存储装置包括一插塞,插塞从基板的顶表面向上延伸穿过一介电层;一底电极,底电极的外表面具有钨,底电极从插塞的顶表面向上延伸;一绝缘材料,绝缘材料环绕底电极并且与底电极的外表面的钨接触;一存储元件,位于底电极的上表面,存储元件包括一氧化钨化合物,且存储元件可编程为至少两种电阻态;以及一顶电极,顶电极上覆并接触存储元件。插塞具有一第一侧向尺寸,底电极具有一侧向尺寸,侧向尺寸平行于插塞的第一侧向尺寸,且侧向尺寸小于插塞的第一侧向尺寸。

著录项

  • 公开/公告号CN109904187B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201810052603.4

  • 发明设计人 赖二琨;李岱萤;李峰旻;

    申请日2018-01-19

  • 分类号H01L27/24(20060101);H01L45/00(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

  • 入库时间 2022-08-23 12:18:20

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