一种Al³⁺掺杂型低红外、低热导率半导体陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明公开一种Al³⁺掺杂型低红外、低热导率半导体陶瓷材料及其制备方法，半导体陶瓷材料的分子式为SrZr_1‑xAl_xO₃，其中x为Al³⁺掺杂取代Zr的原子数百分数。制备方法是以锆酸锶SrZrO₃为基体，掺杂不同比例的Al³⁺制备获得半导体陶瓷材料，具体包括如下步骤：(1)锆酸锶粉体制备；(2)素坯成型；(3)陶瓷烧制。本发明所制备的半导体陶瓷材料的红外辐射率在3‑5μm波段小于0.5，热导率低于2.5W·m^‑1·K^‑1，能够在室温至1400℃环境温度下使用，并且在600‑1200℃下的热导率可降至1.5W·m^‑1·K^‑1以下，可以很好的在高温环境中服役，并且在长期的高温环境中性能稳定，抗腐蚀氧化能力强。