一种金属玷污的检测方法

摘要

本发明提供一种金属玷污的检测方法，提供检测用晶片，将将检测用晶片放置于被检测设备中并静置预设时间之后，在检测用晶片上外延生长外延层，对检测用晶片进行缺陷扫描，通过缺陷扫描结果判断是否存在金属玷污。外延生长为沿着晶片的晶格生长的方法，若存在金属污染，金属污染物落在晶片上，会破坏正常晶格的生长，同时生长速度比正常晶格生长的快而没有规律，会在外延层的表面形成类似于虫子的特定缺陷形貌，根据该缺陷，可以直观地进行是否存在金属玷污的判断，外延生长的速度快，比检测设备的检测时间更快，提高检测效率。此外，对于没有沾污的晶片，还可以重复利用，再次进行检测，可以降低检测成本。