I－型锗基笼形物单晶的制备方法及填充钡和锶的新单晶

摘要

本发明涉及I-型锗基笼形物单晶热电材料及其制备方法技术领域。本发明所述的I-型锗基笼形物单晶的制备方法，该方法是采用助熔剂法，首先称量锗、镓和碱金属(或碱土金属)放置于大刚玉坩埚中，然后用小刚玉坩埚倒置在大刚玉坩埚上，将大小刚玉坩埚之间形成的凹槽加以密封，最后将两个刚玉坩埚一起置于惰性气体保护下制备单晶。我们在用Ga作助熔剂制备单晶时省去了常用的不锈钢容器，因此更加简单易行，成本也更低。用此方法还合成了填充钡的I-型锗基笼形物为核填充锶的I-型锗基笼形物为壳的复合新单晶，这种新单晶内含复杂的界面：内核/过渡层/外层，这种界面对声子的传输会发生散射从而可降低热导率，因此具有比Sr