一种具有恢复特性的复合二极管结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有超快恢复特性的复合二极管结构及其制造方法，该二极管包括N+衬底，位于N+衬底背面的金属化阴极和位于N+衬底正面的N型外延层；所述N型外延层上设置有一组向N型外延层内延伸的P区，所述P区在硅片有源区的N型外延层上均匀分布；相邻P区之间的N型外延层表面设置有一层采用等离子体轰击方式形成的缺陷层，所述P区和缺陷层上设置有一层肖特基势垒金属，肖特基势垒金属上设置有金属化阳极。该器件结构及其制造方法简单且易于实现，能够获得更快的恢复时间，降低器件的开关功耗，可以用于制造具有超快恢复特性的复合二极管(MPS)领域。