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公开/公告号CN110265789B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-06
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201910508762.5
发明设计人 寇伟;张雅鑫;梁士雄;杨梓强;
申请日2019-06-13
分类号H01Q15/00(20060101);H01Q3/30(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人闫树平
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 12:15:54
机译: 用于产生电磁辐射的太赫兹辐射源具有布置在太赫兹辐射的光路中的相位校正板和/或布置在激光辐射的光路中的介电相位校正板
机译: 基于单行进载波光电探测器的太赫兹生成系统,太赫兹生成装置和太赫兹检测装置
机译: 基于单行进载流光电探测器,太赫兹发生器和太赫兹探测器的太赫兹生成系统
机译:基于双层全介质谐振器结构的双频太赫兹完美超表面吸收器
机译:具有强下太赫兹环偶极子共振的全介电硅超表面
机译:基于表面等离子体的太赫兹调制器,由硅 - 空气 - 金属介质 - 金属层组成
机译:具有石墨烯超表面的全范围栅控太赫兹相位调制
机译:使用光导天线太赫兹发生器测量掺硼硅的太赫兹折射率。
机译:在每个波长下具有独立相位和幅度控制的双波长太赫兹超表面
机译:太赫兹全介质磁镜超颖表面
机译:多阶衍射太赫兹透镜的设计。