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一种基于多阶相位因子的全介质硅太赫兹涡旋超表面

摘要

本发明属于太赫兹波功能器件、电磁通信领域,具体为一种基于多阶相位因子的全介质硅太赫兹涡旋超表面。本发明通过引入多阶相位调制因子使得在线性极化太赫兹平面波入射下,能够实现对称和非对称的高阶涡旋光束的产生,根据出射角的不同,灵活选择相位分布,具有很强的可操作性;全介质硅的选择也极大地避免了金属中存在的欧姆损耗问题,进一步地提高了能量利用率,在进一步改善通信容量,在毫米波、太赫兹波频段利用轨道角动量实现高速率、多轨道角动量模态复用、高频谱利用率通信具有很好的现实意义。

著录项

  • 公开/公告号CN110265789B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201910508762.5

  • 发明设计人 寇伟;张雅鑫;梁士雄;杨梓强;

    申请日2019-06-13

  • 分类号H01Q15/00(20060101);H01Q3/30(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人闫树平

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 12:15:54

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