一种基于光控开关的宽带超材料太赫兹吸波器

摘要

本发明提出了一种基于光控开关的宽带超材料太赫兹吸波器，包括底层金属反射板及其上方的介质基板，所述介质基板上贴覆有周期性结构单元，所述周期性结构单元由光控半导体硅贴片及金属贴片构成，包括位于介质基板中央的双臂螺旋结构及沿介质基板四周均匀对称分布的双Y形条状结构。该吸波器在TE波和TM波下均有很好的吸收效果，不同的电导率代表不同水平的光激发，所以当调节表面光控半导体硅的电导率可以对其吸收效果进行有效的调节，进而使其吸收率在90％以上的吸收频域几乎覆盖整个THz波段。本发明还具有结构简单，功能性强，吸收带宽极宽等特点。