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一种隧道磁阻效应传感器的低频噪声抑制装置及方法

摘要

本发明公开了一种隧道磁阻效应传感器的低频噪声抑制装置及方法,包括敏感结构,所述敏感结构包括依次设置在同一水平线上的微型线圈、隧道磁阻效应传感器和软磁磁导,所述微型线圈的轴向垂直于水平线设置,所述微型线圈和隧道磁阻效应传感器间隔预设距离,所述隧道磁阻效应传感器的敏感方向垂直于所述微型线圈的轴向;振荡电路,所述振荡电路与所述微型线圈连接以驱动微型线圈产生周期性交变磁场;低噪声电路,所述低噪声电路与隧道磁阻效应传感器连接并对隧道磁阻效应传感器的输出信号进行处理。其能够抑制低频噪声,提高了信噪比和检测灵敏度,性能稳定,成本低廉。

著录项

  • 公开/公告号CN109556647B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州大学;

    申请/专利号CN201811454912.0

  • 发明设计人 石明慧;姚莹飞;徐大诚;高路;

    申请日2018-11-30

  • 分类号G01D18/00(20060101);

  • 代理机构32257 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人徐洋洋

  • 地址 215000 江苏省苏州市相城区济学路8号

  • 入库时间 2022-08-23 12:14:56

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