一种针对隧道磁电阻传感器的低频磁畴噪声抑制装置及方法

摘要

本发明提出一种针对隧道磁电阻传感器的低频磁畴噪声抑制装置及方法，该抑制方法通过在隧道磁电阻传感器周围间隔、交替施加方向相反的磁场，使自由层的磁化方向达到与钉扎层磁化方向平行或反平行的状态；随后将采集的隧道磁电阻传感器输出数据进行处理，得到隧道磁电阻传感器的等效噪声，以此来抑制由磁畴扰动产生的低频1/f噪声。解决了现有的技术需要在微机电系统(MEMS)加工过程中设计新的聚磁结构或需要精细控制材料的结构，增加了工艺的复杂度，并且对材料和结构的稳定性要求较高的技术问题，本发明能够大幅度提高隧道磁电阻传感器对弱磁场的探测能力，使其能够适用于弱磁场探测领域，如生物磁场探测，磁异常探测等。