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公开/公告号CN109665834B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-03
原文格式PDF
申请/专利权人 郑州大学;
申请/专利号CN201910156692.1
发明设计人 陈杰;齐超;孙本双;舒永春;曾学云;何季麟;
申请日2019-03-01
分类号C04B35/457(20060101);C04B35/622(20060101);
代理机构11557 北京卫智畅科专利代理事务所(普通合伙);
代理人朱春野
地址 450001 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号
入库时间 2022-08-23 12:14:54
机译: 铟,镓,锌,氧化物靶材的制造方法,以及由此可以制造未分离的单个靶材的铟,镓,锌,氧化物靶材的方法
机译: 基于氧化铟锌的溅射靶材,其制造方法以及基于氧化铟锌的薄膜
机译: 掺杂镓的氧化锌靶材,制造相同靶材的制造方法以及由该靶材制造的氧化锌薄膜
机译:烧结制备的掺杂镓的氧化锌靶材:靶材质量对溅射薄膜性能的影响
机译:锡和锌共掺杂的氧化铟:制备TCO薄膜的高导电高密度靶材的简单方法
机译:通过溅射In_2O_3:ZnO = 95:5靶材制备的光滑氧化铟锌薄膜
机译:用(LA_(0.5)Y_(0.5))_ 2O_3栅极绝缘体的制造和表征氧化铟镓锌氧化锌(IGZO)薄膜晶体管
机译:氧化锌发光二极管,氧化铟锌薄膜晶体管和氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管基生物传感器的制造与表征。
机译:聚合物溶液加工铟镓氧化铟掺杂的实验与理论探测
机译:带有氧化铟镓和锌通道的薄膜晶体管:材料,工艺,器件
机译:具有可控固体孔结构的高表面积,纳米级,介孔锰氧化物及其制备方法