法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-02-05
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/20 授权公告日:20081224 终止日期:20121028 申请日:20051028
专利权的终止
2008-12-24
授权
授权
2006-08-23
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-06-28
公开
公开
机译: 制造大晶粒结晶金属硫属化物膜的方法,以及使用该方法制备的结晶金属硫属化物膜
机译: 使用两种具有不同晶化速度的金属通过金属诱导的横向晶化来形成非晶半导体薄膜的晶化方法,以及使用相同的方法制造薄膜晶体管的方法
机译: 非金属籽晶通过表观生长晶化非晶态半导体薄膜的方法及制备多晶硅薄膜晶体管的方法