电迁移测试结构及其形成方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电迁移测试结构及其形成方法。所述电迁移测试结构包括：衬底，所述衬底内具有若干个阻挡结构，所述阻挡结构包括若干个相互串联的PN结，且所述PN结与测试时待测线外围的测试信号形成反偏；叠层结构，位于所述衬底表面，包括至少一子叠层，所述子叠层包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列、且相互连接的若干导热层；所述叠层结构背离所述衬底的表面用于与一待测线连接，以将所述待测线产生的焦耳热传导至所述衬底。本发明一方面，避免待测线自身产生的焦耳热的对测试结果的影响，提高了电迁移测试结果的准确度和可靠性；另一方面，避免了电迁移测试过程中的电流流向所述衬底，确保了测试结果的可靠性。