AlN单晶薄膜生长方法及具有该薄膜的声表面波谐振器

摘要

本发明提出了一种AlN单晶薄膜的生长方法，在硅酸镓镧类单晶上生长AlN单晶薄膜，所述硅酸镓镧类单晶的取向相对于AlN单晶薄膜的[002]晶向的偏差角度在0°至27°范围内。该方法显著提高沉积的AlN单晶薄膜的质量，提高单晶衍射峰的半高宽和薄膜的均匀一致性，有利于提高器件的性能。