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一种基于MOS晶体管的基本运算电路及其扩展电路

摘要

本发明属于半导体技术领域,公开了一种基于MOS晶体管的基本运算电路,包括:MOS晶体管;所述MOS晶体管的漏极连接电源端VDD,所述MOS晶体管的源极作为电路输出端;MOS晶体管的栅极作为第一输入端,MOS晶体管的衬底作为第二输入端;其中,第一输入端采用二值输入a:VDD/VG0;第二输入端采用二值输入b:VX1/VX2;VG0的获取方法为:在MOS晶体管的衬底加载相对大值电压VX1,在MOS晶体管的栅极加载从VDD到VSS的扫描电压,获取MOS晶体管的第一导通电流图;在MOS晶体管的衬底加载相对小值电压VX2,重复上述操作,获取MOS晶体管的第二导通电流图并比较,获取导通电流差值最大时的栅极电压,即为VG0。本发明提供的基本运算电路能够降低空间占用,提升扩展使用的规模。

著录项

  • 公开/公告号CN110262771B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201910382396.3

  • 发明设计人 洪钦智;王志君;梁利平;

    申请日2019-05-09

  • 分类号G06F7/505(20060101);G06F7/53(20060101);

  • 代理机构11302 北京华沛德权律师事务所;

  • 代理人房德权

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 12:07:29

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