公开/公告号CN110262771A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-20
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201910382396.3
申请日2019-05-09
分类号G06F7/505(20060101);G06F7/53(20060101);
代理机构11302 北京华沛德权律师事务所;
代理人房德权
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2024-02-19 14:16:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F7/505 申请日:20190509
实质审查的生效
2019-09-20
公开
公开
机译: 一种生产高压晶体管的方法-包含mos的mos-集成电路,以及使用这种高压晶体管-mos的用于切换电流环的电路装置
机译: 用于存储双极电流的电路,由两个基本存储电路组成,一个带有N MOS,另一个带有P MOS晶体管contg。当前的存储单元
机译: 一种制造集成MOSFET缺陷晶体管的方法,特别是具有由金属硅化物构成的附加电路级的互补MOS场缺陷晶体管电路。