公开/公告号CN100459052C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-02-04
原文格式PDF
申请/专利权人 先进微装置公司;
申请/专利号CN200580039217.2
申请日2005-11-29
分类号H01L21/28(20060101);G03F9/00(20060101);H01L21/027(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:01:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 授权公告日:20090204 终止日期:20161129 申请日:20051129
专利权的终止
2010-09-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/28 变更前: 变更后: 登记生效日:20100730 申请日:20051129
专利申请权、专利权的转移
2010-09-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/28 变更前: 变更后: 登记生效日:20100730 申请日:20051129
专利申请权、专利权的转移
2009-02-04
授权
授权
2009-02-04
授权
授权
2008-01-16
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-01-16
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-11-14
公开
公开
2007-11-14
公开
公开
查看全部
机译： 形成具有特定尺寸的栅极侧壁间隔物的半导体装置的方法
机译： 形成具有特定尺寸的栅极侧壁间隔物的半导体装置的方法
机译： 制造半导体器件的方法，包括具有侧壁间隔物的栅极图案和侧壁间隔物上的盖图案
