具有包括突出底部的栅极间隔件的半导体器件结构及其形成方法

摘要

本发明提供了具有包括突出底部的栅极间隔件的半导体器件结构及其形成方法。提供了半导体器件结构及其形成方法。该半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的栅极堆叠结构。该半导体器件结构还包括形成在栅极堆叠结构的侧壁上的栅极间隔件，并且栅极间隔件包括顶部和与顶部邻接的底部，底部倾斜至衬底的顶面。该半导体器件结构还包括形成为与栅极间隔件相邻的外延结构，并且外延结构形成在栅极间隔件的下方。