场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件

摘要

本发明公开了场效应晶体管以及包括该场效应晶体管的半导体器件。该半导体器件可以包括：沟道层，设置在基板上并且包括由第一材料制成的二维原子层；和源/漏层，设置在基板上并且包括第二材料。第一材料可以是磷的同素异形体之一，第二材料可以是碳的同素异形体之一，沟道层和源/漏层可以通过在第一和第二材料之间的共价键彼此连接。