法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-01-14
授权
授权
2006-10-25
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-07-19
公开
公开
机译: 半导体元件金属氧化物半导体场效应晶体管,包括具有漂移拉伸结构的晶体半导体主体,该漂移拉伸结构具有被半导体材料填充的垂直方向的沟槽结构
机译: 具有碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管和具有短路沟道的短路沟道的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
机译: 具有短路通道的碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管和制造具有短路通道的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的方法