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垂直磁记录介质及其制造方法和磁存储装置

摘要

本发明公开了一种能够进行高密度记录的垂直磁记录介质及其制造方法和磁存储装置。该垂直磁记录介质包含基板,在该基板上形成软磁底层、由非晶材料制成的籽晶层、由Ru或者以Ru作为主要成分的Ru合金制成的底层以及包含第一磁性层和第二磁性层的记录层。该第一和第二磁性层分别包含在与该基板表面基本垂直的方向上具有易磁化轴的多个磁性粒子和隔离该第一和第二磁性层的磁性粒子的第一和第二非磁性非溶性相。第一磁性层包含的第一非溶性相的第一原子浓度比第二磁性层中的第二非溶性相的第二原子浓度高。

著录项

  • 公开/公告号CN100440323C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-12-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通株式会社;

    申请/专利号CN200610068381.2

  • 发明设计人 向井良一;

    申请日2006-03-30

  • 分类号G11B5/65(20060101);

  • 代理机构72003 隆天国际知识产权代理有限公司;

  • 代理人王玉双;高龙鑫

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-04-21

    专利权的转移 IPC(主分类):G11B 5/65 变更前: 变更后: 登记生效日:20100315 申请日:20060330

    专利申请权、专利权的转移

  • 2008-12-03

    授权

    授权

  • 2006-12-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-10-04

    公开

    公开

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