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公开/公告号CN109478765B8
专利类型
公开/公告日2021-07-02
原文格式PDF
申请/专利权人 通快光子学公司;
申请/专利号CN201780024675.1
发明设计人 张强;H·安;H·G·特罗伊施;
申请日2017-04-18
分类号H01S5/028(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人周家新
地址 美国新泽西
入库时间 2022-08-23 12:04:04
机译: 激光刻面的钝化和执行该刻面的系统
机译: 激光刻面钝化以及执行这种钝化的系统
机译: 激光刻面的钝化及其执行系统
机译:无铝940 nm激光器光致发光的刻面温度与未泵浦和钝化刻面的降解比较
机译:980 nm GaAs抽运激光器的刻面通过脉冲紫外激光辅助技术钝化
机译:采用新的刻面钝化工艺提高了980 nm激光二极管的可靠性
机译:优化的AlGaAs表面硫处理:应用于干法蚀刻AlGaAs激光刻面的钝化
机译:刻面三族氮化物激光器。
机译:钝化GaAs纳米线中的刻面相关的非均匀光致发光
机译:通过刻面特异性钝化和它们无序表面调节的各向异性氟化物纳米晶体
机译:具有残余刻面反射率的外腔二极管激光器的横向模式选择性