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State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)
State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)
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1.
Submicron InGaAs/AlAs/InP high-electron mobility transistors for high-speed lightwave applications
机译:
用于高速光波应用的亚微米InGaAs / AlAs / InP高电子迁移率晶体管
作者:
J. S. Weiner
;
Y. C. Wang
;
J. M. Kuo
;
H. S. Tsai
;
D. Sivco
;
A. Y. Cho
;
Y. K. Chen.
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
2.
Reduction of surface state density in h_2s plasma treated GaAs
机译:
h_2s等离子体处理的GaAs中表面态密度的降低
作者:
H. Shen
;
W. Zhou
;
J. Pamulapati
;
F. Ren
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
3.
Properties and applications of a novel material system, III-N-V
机译:
新型材料系统III-N-V的性质和应用
作者:
C.W. Tu
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
4.
Polycrystal isolation technology for high-speed GaAs hbt-ic's
机译:
高速GaAs HBT-IC的多晶隔离技术
作者:
Kazuhiro Mochizuki
;
Tohru Oka
;
Kiyosh Ouchi
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
5.
Non-destructive evaluation of light emitting efficiency in AlGaInP double-heterostructure led wafers by photoluminescence lifetime
机译:
通过光致发光寿命无损评估AlGaInP双异质结构led晶片的发光效率
作者:
Shoichi Washizuka
;
Yasuhiko Akaike
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
6.
60 GHz InP power HEMTs with 15 #mu#m x 25 #mu#m dry-etched through-substrate vias
机译:
具有15#mu#m x 25#mu#m干法蚀刻通孔的60 GHz InP功率HEMT
作者:
R. Grundbacher
;
E. Sabin
;
M. Nishimoto
;
T. P. Chin
;
R. Elmadjian
;
Y. C. Chen
;
V. Medvedev
;
R. Lai
;
D. Yamauchi
;
H. Rodgers
;
M. Barsky
;
G. Schreyer
;
T. Block
;
D. Streit
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
7.
Investigation of process related relaiability for InP-based heterojunction bipolar transistors (HBTs)
机译:
基于InP的异质结双极晶体管(HBT)的过程相关可靠性研究
作者:
Kursad Klzlloglu
;
Stephen Thomas III
;
Bruce M. Paine
;
Freddie Williams
;
Jr.
;
Charles H. Fields
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
8.
Anodic Growth of GaS layers on Al_xGa_(1-x)As in (NH_4)_2 S Solutions
机译:
(NH_4)_2 S溶液中Al_xGa_(1-x)As上GaS层的阳极生长
作者:
S. Delalande
;
J. Nagle
;
J. Olivier
;
C. Debiemme-Chouvy
;
M. Herlem
;
A. Etcheberry
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
9.
AlGaN and GaN ultraviolet photodetectors
机译:
AlGaN和GaN紫外线光电探测器
作者:
R. Hickman
;
J. M. Van Hove
;
J. J. Klaassen
;
C. J. Polley
;
A. M. Wowchack
;
P. P. Chow
;
D. J. King
;
S. J. Pearton
;
K.B.Jung
;
H.Cho
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
10.
Analysis of two degradation mechanisms in GaInP/GaAs fully planar hbt technology
机译:
GaInP / GaAs全平面HBT技术中两种降解机理的分析
作者:
C. Maneux
;
N. Labat
;
N. Saysset
;
A. Touboul
;
Y. Danto
;
M. Riet et A. Scavennec
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
11.
Electrical characteristics of deep sub-micron vertical sige nmosfets
机译:
深亚微米垂直筛nmosfets的电气特性
作者:
K.C. Liu
;
E.J. Quinones
;
X. Chen
;
B. Anantharam
;
X.D. Chen
;
S.K. Ray
;
S. K. Oswal
;
S. K. Banerjee
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
12.
Electrical characterization of gallium nitride mis capacitors with an oxideitride/oxide gate dielectric synthesized by jet vapor deposition
机译:
喷射气相沉积合成的具有氧化/氮化/氧化栅电介质的氮化镓电容器的电学特性
作者:
B. Gaffey
;
G. Chong
;
L. Guido
;
X. W. Wang
;
T. P. Ma
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
13.
Inductively-coupled plasma deposition of low temperature silicon dioxide and silicon nitride films for iii-v applications
机译:
用于iii-v应用的低温二氧化硅和氮化硅膜的电感耦合等离子体沉积
作者:
K. D. Mackenzie
;
J. W. Lee
;
D. Johnson
会议名称:
《》
|
1999年
14.
An industrial perspective of recent developments in compound semiconductors
机译:
化合物半导体最新发展的工业观点
作者:
I. T. Ferguson
;
A. G. Thompson
;
C. Tran. M. Schurman
;
M. Pelczynski
;
S. Li
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
15.
Effect of high-voltage heterojunction bipolar transistor collector design on f_T and f(MAX)
机译:
高压异质结双极晶体管集电极设计对f_T和f(MAX)的影响
作者:
P. C. Chang
;
A. G. Baca
;
C. I. H. Ashby
;
V. M. Hietala
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
16.
Effects of strain relaxation on the carrier transport properties on inp-based pseudomorphic high electron mobility structures
机译:
应变松弛对基于inp的拟晶高电子迁移率结构上载流子输运性质的影响
作者:
R.S. Sandhu
;
C.D. Moore
;
M.S. Goorsky
;
L. Wong
;
K. L. Wang
;
H. Jiang
;
T.P. Chin
;
M. Wojtowicz
;
T.R. Block
;
D.C. Streit
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
17.
GaAs Self-aligned jfets with carbon-doped p~+ region
机译:
具有碳掺杂p〜+区的GaAs自对准jfet
作者:
A. G. Baca
;
P. C. Chang
;
A. A. Allerman
;
T. J. Drummond
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
18.
GaN Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors
机译:
GaN金属氧化物半导体场效应晶体管
作者:
F. Ren
;
S. J. Pearton
;
C. R. Abernathy
;
A. Baca
;
P. Cheng
;
J. Han
;
R. J. Shul
;
S. N. G. Chu
;
M. Hong
;
J. R. Lothian
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
19.
Single wafer pol ymer removal
机译:
单晶片聚合物去除
作者:
E. Gaulhofer
;
H. Kruwinus
;
F. Kovacs
;
C. Haigermoser
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
20.
Surface chemical treatment for the cleaning of ain and GaN
机译:
表面化学处理,用于清洗ain和GaN
作者:
K. N. Lee
;
S. M. Donovan
;
B. Gila
;
M. Overberg
;
J. D. Mackenize
;
C. R. Abernathy
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
21.
Silicon carbon nitride films deposited by ecr cvd
机译:
电化学沉积法沉积的氮化硅碳薄膜
作者:
K.H. Chen
;
J.-J. Wu
;
C.-Y. Wen
;
L.-C. Chen C.-W. Fan
;
P.-F. Kuo
;
Y.-F. Chen Y.-S. Huang
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
22.
R.F. Performances of GaAs hbt's and thermal investigations
机译:
R.F. GaAs HBT的性能和热学研究
作者:
A. Cazarre
;
L. Andrieux
;
A. Marty T. Camps
;
J. Tasselli
;
P. Souverain
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
23.
Indium phosphide heterojunction bipolar transistor technology for fiber-optic communication circuirs
机译:
磷化铟异质结双极晶体管技术,用于光纤通信电路
作者:
R. Pullela
;
J.P. Mattia
;
G. Georgiou
;
R. Kopf
;
R. Hamm
;
Y. Baeyens
;
H.S. Tsai
;
Y.K. Chen
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
24.
AlGaN/GaN MODFETs for high frequency and high power applications
机译:
适用于高频和高功率应用的AlGaN / GaN MODFET
作者:
H. Leier
;
A. Vescan
;
R. Dietrich
;
A. Wieszt
;
H. Tobler
;
J. M. Van Hove
;
P. P. Chow
;
A. M. Wowchak
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
25.
The effect of Er concentration on the morphology and photoluminescence of GaN:Er
机译:
Er浓度对GaN:Er的形貌和光致发光的影响
作者:
M. E. Overberg
;
J. Brand
;
J. D. MacKenzie
;
C. R. Abernathy
;
S. J. Pearton
;
J. M. Zavada
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
26.
Optimized sulfur treatment of AlGaAs surfaces: application to the passivation of dry-etched AlGaAs laser facets
机译:
优化的AlGaAs表面硫处理:应用于干法蚀刻AlGaAs激光刻面的钝化
作者:
Jean Olivier
;
Philippe Collot
;
Stephane Delalande
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
27.
Ingaas/inp dhbt structures for high speed circuit applications
机译:
用于高速电路应用的Ingaas / inp dhbt结构
作者:
R.F. Kopf
;
R.A. Hamm
;
R.W. Ryan
;
A. Tate
;
Y-C. Wang
;
R. Pullela
;
G. Georgiou
;
J-P. Mattia
;
Y. Baeyens
;
H-S. Tsai
;
Y-K. Chen
;
J. Thevin
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
28.
Inp/ingaas heterostructure bipolar transistors using a patterned subcollector
机译:
使用图案化子集电极的Inp / ingaas异质结构双极晶体管
作者:
R.A. Hamm
;
R. Ryan
;
C. Pinzone
;
R. Kopf
;
R. Pullela
;
A. Tate
;
J. Burm
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
29.
Compound semiconductor devices for low-power high-efficiency radio frequency electronics
机译:
用于低功率高效射频电子设备的化合物半导体器件
作者:
V. M. Hietala
;
A. G. Baca
;
P. C. Chang
;
L. R. Sloan
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
30.
High-density plasma etching of group-iii nitride films for device application
机译:
高密度等离子刻蚀的iii族氮化物膜在器件中的应用
作者:
R. J. Shul
;
L. Zhang
;
A. G. Baca
;
J. Han
;
M. H. Crawford
;
C. G. Willison
;
S. J. Pearton
;
F. Ren
;
J. C. Zolper
;
L. F. Lester
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
31.
Highly selective etch process for the manufacture of GaAs power mesfet's
机译:
用于制造GaAs功率MOSFET的高度选择性蚀刻工艺
作者:
Edward Y. Chang
;
Yeong-Lin Lai
;
Y. S. Lee
会议名称:
《State-of-the-art program on compound semiconductors(SOTAPOCs 30)》
|
1999年
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