首页> 中国专利> 一种双深度浅沟道隔离槽及其制备方法

一种双深度浅沟道隔离槽及其制备方法

摘要

本发明提供一种双深度浅沟道隔离槽及其制备方法,双深度浅沟道隔离槽的制备方法包括:提供一衬底,衬底上依次形成有硬掩模层和图形化的第一光刻胶层;以图形化的第一光刻胶层为掩模,刻蚀形成第一开口和第二开口,再去除第一光刻胶层;在硬掩模层上形成图形化的第二光刻胶层;以图形化的第二光刻胶层和硬掩模层为掩模,刻蚀形成第二隔离槽的第一部分,再去除所述第二光刻胶层;以硬掩模层为掩模,刻蚀形成第二隔离槽的第二部分和第一隔离槽,使得感光区的第一隔离槽和逻辑区的第二隔离槽同时形成,提高了感光器件的电性性能,还提高了STI电性隔离的性能,同时,降低了工艺难度,扩大了工艺窗口。

著录项

  • 公开/公告号CN110148580B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201910407317.X

  • 发明设计人 杨渝书;伍强;李艳丽;

    申请日2019-05-15

  • 分类号H01L21/762(20060101);H01L27/146(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑星

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

  • 入库时间 2022-08-23 12:03:56

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号