公开/公告号CN110148580B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-02
原文格式PDF
申请/专利权人 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司;
申请/专利号CN201910407317.X
申请日2019-05-15
分类号H01L21/762(20060101);H01L27/146(20060101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郑星
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
入库时间 2022-08-23 12:03:56
机译: 具有浅沟道深度和双栅氧化层的pMOSFET的制造方法
机译: 具有浅沟道深度和双栅氧化层的pMOSFET的制造方法
机译: 双深度浅沟槽隔离及其形成方法