通过层转移在反向极化衬底上的高电子迁移率晶体管制造工艺

摘要

一种方法包括：在牺牲衬底上的极性化合物半导体层上形成阻挡层；将牺牲衬底耦合到载体衬底以形成复合结构，其中，阻挡层布置在极性化合物半导体层与载体衬底之间；将牺牲衬底从复合结构分离以暴露出极性化合物半导体层；以及形成至少一个电路器件。一种装置包括：在衬底上的阻挡层；在阻挡层上的晶体管器件；以及布置在阻挡层与晶体管器件之间的极性化合物半导体层，极性化合物半导体层包括其中的二维电子气。