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公开/公告号CN106415846A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-02-15
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201480078732.0
发明设计人 K·俊;S·达斯古普塔;A·X·利万德;P·莫罗;
申请日2014-06-13
分类号H01L29/778;
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人陈松涛
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2023-06-19 01:31:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20140613
实质审查的生效
2017-02-15
公开
机译: 通过层转移在反极化衬底上的高电子迁移率晶体管制造工艺
机译: 层转移反极化基板的高电子迁移率晶体管制造工艺
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机译:硅衬底上的AlN成核层中的螺纹位错和AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构中的垂直泄漏电流的影响
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