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用于在集成电路内制造JFET晶体管的方法及对应的集成电路

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摘要

本公开涉及用于在集成电路内制造JFET晶体管的方法及对应的集成电路。根据本发明的用于制造BiCMOS类型的集成电路(CI)的方法包括制造至少一个垂直结场效应晶体管(T1)，其包括形成具有通过光刻控制的有源表面(D)的临界尺寸的沟道区域(ZC)。

公开/公告号CN106898576B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-29

原文格式PDF
申请/专利权人意法半导体(克洛尔2)公司;
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申请/专利号CN201610324289.1
发明设计人 J·希门尼斯;
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申请日2016-05-16
分类号H01L21/8234(20060101);H01L29/772(20060101);H01L29/06(20060101);H01L27/06(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华;张昊
地址法国克洛尔
入库时间 2022-08-23 12:03:28

1. 用于在集成电路内制造JFET晶体管的方法及对应的集成电路 [P] . 中国专利： CN106898576B . 2021.06.29
2. 集成电路和用于制造在集成电路内的至少一个晶体管的方法 [P] . 中国专利： CN105990374A . 2016-10-05
3. METHOD FOR MANUFACTURING A JFET TRANSISTOR WITHIN AN INTEGRATED CIRCUIT AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3185288A1 . 2017-06-28

机译：在集成电路内及对应的集成电路内制造JFET晶体管的方法
4. METHOD FOR MANUFACTURING A JFET TRANSISTOR WITHIN AN INTEGRATED CIRCUIT AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT. [P] . 法国专利： FR3045937A1 . 2017-06-23

机译：在集成电路和对应的集成电路中制造JFET晶体管的方法。
5. INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING A JFET TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH AN INTEGRATED CIRCUIT [P] . EP3823040A1 . 2021-05-19

机译：集成电路，包括JFET晶体管和用于制造这种集成电路的方法