薄膜晶体管、氧化物半导体膜以及溅射靶材

摘要

本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管，其具有：栅电极；活性层，其由含有铟、锌以及钛的氧化物构成；栅极绝缘膜，其形成在上述栅电极与上述活性层之间；以及源电极和漏电极，其与上述活性层电连接。在构成上述氧化物的铟、锌以及钛的总量中所占的各元素的原子比是，铟为24原子％以上且80原子％以下，锌为16原子％以上且70原子％以下，钛为0.1原子％以上且20原子％以下。