一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种单层或双层二硫化钨薄膜的制备方法，采用双‑异丙基环戊烯基二氢化钨（WH₂(iPrCp)₂）和氧分子（O₂）等离子体作为前驱体，通过原子层沉积（ALD）方法制备出三氧化钨（WO₃）薄膜。之后通过硫化WO₃薄膜得到单层或双层二硫化钨（SW₂）薄膜。本发明采用原子层沉积技术，可通过反应周期精确控制薄膜厚度，可生成单层或双层、致密性良好的二硫化钨（SW₂）薄膜，具有重复性好、控制精度高等优势。