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一种二硫化钨单层薄膜材料及其制备方法

摘要

本文公开了一种二硫化钨单层薄膜材料及其制备方法,其特征在于,包括硫粉、三氧化钨和氯化盐利用化学气相沉积法在通氩气的条件下进行反应,所述的氯化盐与三氧化钨的质量比为1~2:25。通过使用氯化盐辅助制备二硫化钨薄膜,可以有效的制备出单层的薄膜,并且提高了光致发光强度。该实验方法工艺比较简单,环境友好的,并且是廉价的,适合大规模生产。制备的二硫化钨薄膜可以应用于光电器件领域,具备较高的使用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN110042363B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西北大学;

    申请/专利号CN201910187915.0

  • 申请日2019-03-13

  • 分类号C23C16/30(20060101);

  • 代理机构61216 西安恒泰知识产权代理事务所;

  • 代理人孙雅静

  • 地址 710069 陕西省西安市太白北路229号

  • 入库时间 2022-08-23 12:00:18

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