首页> 中国专利> InP基合金量子点的制备方法及量子点、器件及组合物

InP基合金量子点的制备方法及量子点、器件及组合物

摘要

本申请提供了一种InP基合金量子点的制备方法及量子点、器件及组合物,该InP基合金量子点的制备方法包括:1)将M前体与磷前体、可选的第一配体、第一溶剂的混合物在第一温度下反应,形成M‑P复合物溶液;2)将M‑P复合物溶液与铟前体、可选的第二配体、第二溶剂的混合物在第二温度下反应,得到含InMP合金量子点的溶液。本申请还提供一种由上述InP基合金量子点的制备方法制备的InP基合金量子点、器件及量子点组合物。采用该方法制备的量子点具备发光半峰宽更窄、量子效率更高、包覆效果更好、稳定性更强的特性。

著录项

  • 公开/公告号CN108893119B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 纳晶科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201810788476.4

  • 申请日2018-07-18

  • 分类号C09K11/88(20060101);B82Y20/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 310052 浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼

  • 入库时间 2022-08-23 12:01:47

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号