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公开/公告号CN108893119B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-25
原文格式PDF
申请/专利权人 纳晶科技股份有限公司;
申请/专利号CN201810788476.4
发明设计人 乔培胜;高静;谢阳腊;余文华;汪均;苏叶华;
申请日2018-07-18
分类号C09K11/88(20060101);B82Y20/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构
代理人
地址 310052 浙江省杭州市滨江区长河街道秋溢路428号3幢3楼
入库时间 2022-08-23 12:01:47
机译: InP InP / ZnS / InP量子点的制备方法和InP / ZnS核/壳量子点的制备方法
机译: 用于INP量子点的前体P(SIME2-TERT-BU)3,其制备方法,包含P(SIME2-TERT-BU)3的INP量子点及其制备方法
机译:包含厚壳量子点的高效基于绿色InP量子点的电致发光器件
机译:基于高效绿色INP量子点的电致发光器件,包括厚壳量子点
机译:高亮度蓝色INP量子点基电致发光器件:壳体厚度的作用
机译:INP /(AL)GAINP量子点激光器对限制层组合物的点增益行为的影响
机译:基于有机小分子和铅硫化物量子点的光电器件
机译:站点选择性地生长INAS / INP量子点的光学性质具有通过嵌段共聚物光刻预定定位的预定定位
机译:自组装的InAs / InP量子点和量子破折号:材料结构和器件
机译:宽隙氮化镓基薄膜及其量子点器件的研究