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一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法

摘要

一种大口径磷酸二氢钾单晶体快速生长法,尤其是涉及大口径磷酸二氢钾单晶体的快速生长法。采用溶液降温法,在晶体生长槽中添加剂氯化钾的用量为1-5M%,添加剂EDTA的最佳用量为0.01-0.02wt%;初始过饱和度最大达到8℃,生长至室温;一般初始生长阶段每天降温量0.3~0.5℃,随着晶体的快速长大,每天降温量增至2℃。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-09-17

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 7/08 授权公告日:20090121 终止日期:20130729 申请日:20040729

    专利权的终止

  • 2009-01-21

    授权

    授权

  • 2007-09-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-02-01

    公开

    公开

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