金属氮化镓复合衬底外延生长方法及发光二极管外延结构

摘要

本发明提供一种金属氮化镓复合衬底外延生长方法，所述生长方法包括，提供一金属氮化镓复合衬底，于所述金属氮化镓复合衬底上形成一低温应力层，于所述低温应力层上形成第一半导体层，于所述第一半导体层上形成有源区量子阱层，于所述有源区量子阱层上形成第二半导体层，其中，所述衬底在生长温度介于700至750℃之间进行退火处理，所述低温应力层在生长温度介于700至850℃之间的条件下进行生长。利用本发明，可有效减少衬底的较大翘曲问题，更有利于应力的释放，显著改善衬底的外延层外观，减少外延层鼓泡、起皮及裂纹的现象，改善晶体质量。