公开/公告号CN111312592B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 南京大学;
申请/专利号CN202010119441.9
申请日2020-02-25
分类号H01L21/336(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/10(20060101);B82B3/00(20060101);B82Y40/00(20110101);
代理机构32326 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙);
代理人李培
地址 210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
入库时间 2022-08-23 11:58:52
机译: 具有三维堆叠结构纳米线的纳米线电场效应传感器及其制造方法
机译: 包括垂直分离的沟道纳米线堆叠的场效应晶体管结构
机译: 具有堆叠结构中的垂直和水平沟道的三维半导体器件,其电极垂直堆叠在基板上