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栅极长度不取决于光刻法的纵向栅极CMOS

摘要

揭示了一种纵向晶体管的元件的构造,具体的说,为一CMOS晶体管的栅极(1905)、源极(1901)和漏极(1903)的配置。纵向晶体管常常用于集成电路的领域。因此,用于改进其构造的不受限于光刻法的限制的方法具有很大的效用和重要性。本领域的技术人员会明白所述方法也可以用于制造其它类型的器件。例如,利用本文所述的方法可制造一双极型晶体管的结(以及其其它类型的器件结)。

著录项

  • 公开/公告号CN100442477C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 爱特梅尔公司;

    申请/专利号CN200580002918.9

  • 发明设计人 B·洛耶克;

    申请日2005-01-18

  • 分类号H01L21/8238(20060101);H01L27/10(20060101);H01L29/73(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人孟锐

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-03-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8238 授权公告日:20081210 终止日期:20110118 申请日:20050118

    专利权的终止

  • 2008-12-10

    授权

    授权

  • 2007-04-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-02-07

    公开

    公开

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