法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-03-28
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8238 授权公告日:20081210 终止日期:20110118 申请日:20050118
专利权的终止
2008-12-10
授权
授权
2007-04-04
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-02-07
公开
公开
机译: 具有与光刻无关的栅极长度的垂直栅极CMOS
机译: 使用常规CMOS制作栅极结构电流和直接提取物理栅极长度的测试结构的方法
机译: 用于PD / SOI中栅极体电流测量以及直接按比例CMOS技术提取物理栅极长度的双重测试结构