基于CsPbBr₃/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种基于钙钛矿量子点(CsPbBr₃)和氧化石墨烯(GO)同型异质结构的分子印迹传感器的制备及其用于黄曲霉毒素B₁(AFB₁)的检测。本发明以CsPbBr₃包裹或负载在氧化石墨烯的褶皱里面构建同型异质结构，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为疏水层，并结合分子印迹技术，成功制备了分子印迹光电化学传感器。本发明制备的传感器以CsPbBr₃和GO形成的同型异质结作为光电转换层，聚甲基丙烯酸甲酯作为保护层，并通过表面修饰含有毒素识别位点的分子印迹膜来实现AFB₁的检测。该传感器具有检测范围宽，选择性好，灵敏度高，检测限高达0.74pg·mL^‑1；同时响应稳定，具有良好的重现性。