公开/公告号CN108568288B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-11
原文格式PDF
申请/专利权人 天津城建大学;
申请/专利号CN201810417917.X
申请日2018-05-04
分类号B01J20/22(20060101);B01J20/30(20060101);C02F1/28(20060101);C02F101/20(20060101);
代理机构12108 天津才智专利商标代理有限公司;
代理人吕志英
地址 300384 天津市西青区津静公路26号
入库时间 2022-08-23 11:57:08
机译: 包含其应用于在掺杂有至少一种导电材料的至少一种导电特性的金属的金属层中的半导体材料本体的一部分的半导体器件的制造方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。
机译: 一种生产新的巯基或多巯基化合物并精细应用的方法
机译: 化学扩增型阳性光敏树脂组合物,一种光敏干膜,一种用于制造光敏干膜的方法,一种制造图案化抗蚀剂膜的方法,一种用基板制造模板的方法,以及制造镀层成型产品的方法和巯基化合物