一种含有浮空区及终止环的逆导型IGBT

摘要

本发明提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管（Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor，RC‑IGBT）器件，其含有背面槽型栅极结构。所述背面槽型栅极结构的顶部有第一导电类型的终止环，所述背面槽型栅极结构的两侧与第二导电类型的浮空区直接接触。所述终止环用于降低背面槽型栅极结构顶部附近电场，所述浮空区用于抑制折回（snap‑back）现象。