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有源栅极之上的栅极触点结构及其制造方法

摘要

描述了布置在栅极的有源部分上的栅极触点结构以及形成这种栅极触点结构的方法。例如,一种半导体结构包括具有有源区和隔离区的衬底。栅极结构具有布置在所述衬底的有源区上的部分和布置在所述衬底的隔离区上的部分。源极区和漏极区布置在所述衬底的有源区中、并且位于所述栅极结构的布置在有源区上的部分的任一侧上。栅极触点结构布置在所述栅极结构的布置在所述衬底的有源区上的部分上。

著录项

  • 公开/公告号CN107425065B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201710034693.X

  • 申请日2013-08-28

  • 分类号H01L29/78(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/336(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人陈松涛;王英

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2022-08-23 11:56:16

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