退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN107425065B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-08
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201710034693.X
发明设计人 A·J·派特;T·加尼;M·博尔;C·韦布;H·戈麦斯;A·卡佩拉尼;
申请日2013-08-28
分类号H01L29/78(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人陈松涛;王英
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 11:56:16
机译: 有源栅极上的栅极接触结构及其制造方法
机译: 有源栅极触点及其制造方法
机译:使用印刷触点,印刷有机栅极绝缘体和蒸发的C_(60)有源层对后热处理进行的OFET的影响
机译:从多孔网格材料制造产品的技术遗传,具有特定性质。 信息1.栅格栅极栅极设计的影响及相对压缩结构形成元素对叶坯孔隙率的影响
机译:玻璃上栅极偏置非易失性存储器的新型制造工艺以及栅极偏置结构对器件特性的影响
机译:利用无触点和抽出式源极/漏极测试结构分析MOS栅极-源极/漏极电容的窄栅极到栅极空间依赖性
机译:开发了用于多阈值电压应用的n-MOS到p-MOS可调谐单金属栅极/高kappa绝缘体器件的创新制造方法。
机译:顶部栅极石墨烯场效应晶体管中金属石墨烯触点的栅极控制肖特基势垒降低的物理模型
机译:线性对数宽动态范围有源像素传感器,具有负反馈结构,使用具有重叠控制栅极的栅极/正文光电探测器
机译:具有光电探测器的有源像素传感器像素,其输出耦合到输出晶体管栅极