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一种带硬件保护的N-MOS和P-MOS永磁同步电机驱动电路

摘要

本发明公开了一种带硬件保护的N‑MOS和P‑MOS构成的永磁同步电机驱动电路,本发明采用的技术方案为一种新型的永磁同步电机驱动电路控制三相永磁同步电机工作,使用分立元件驱动N‑MOSFET、P‑MOSFET,包括MCU运算控制模块(1)、高速光耦隔离模块(2)、反向输出模块(3)、N‑MOSFET控制模块(4)、N‑MOSFET死区产生模块(5)、P‑MOSFET控制模块(6)、P‑MOSFET死区产生模块(7)。中低档MCU输出一路PWM波,经过驱动电路后能够转换为两路互补对称带死区的PWM波,驱动功率元件控制永磁同步运转。这种驱动方式不使用功率驱动芯片、降低电路成本、节省中低档MCU的IO资源、缓解MCU运算负担、产生的死区时间防止上下桥臂同时导通击穿电路。

著录项

  • 公开/公告号CN110868049B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201911175435.9

  • 申请日2019-11-26

  • 分类号H02M1/08(20060101);H02M1/088(20060101);H02M1/38(20070101);H02M7/5387(20070101);H02P25/022(20160101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人沈波

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 11:54:02

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