公开/公告号CN111615138B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-04
原文格式PDF
申请/专利号CN202010409914.9
申请日2020-05-15
分类号H04W24/08(20090101);
代理机构11255 北京市商泰律师事务所;
代理人麻吉凤
地址 100044 北京市海淀区西直门外上园村3号
入库时间 2022-08-23 11:53:49
机译: 一种制造半导体器件以防止场区高压层器件氧化膜层损坏而防止场区隔离层的方法
机译: 一种制造半导体器件以防止场区高压层器件氧化膜层损坏而防止场区隔离层的方法
机译: 用于共址基站的同频段组合器