一种位于衬底上的finFET及其形成方法

摘要

在衬底上形成鳍式场效应晶体管(finFET)的方法包括在衬底上形成鳍结构，在鳍结构上形成氧化物层以及在氧化物层上形成多晶硅结构。该方法还包括修改多晶硅结构，从而使得修改的多晶硅结构的第一部分的第一水平尺寸小于修改的多晶硅结构的第二部分的第二水平尺寸。该方法还包括用栅极结构替换修改的多晶硅结构，其中，所述栅极结构的第一部分的第一水平尺寸小于所述栅极结构的第二部分的第二水平尺寸。