一种半导体/金属异质结纳米线阵列材料的制备工艺

摘要

本发明属于纳米材料制备技术领域，涉及模板‑电化学沉积技术，具体涉及一种半导体/金属异质结纳米线阵列材料的制备工艺。本发明提出了新的观点，基于AAO模板‑电化学沉积法，通过优化设计制备工艺参数，使得最终制备的半导体/金属异质结纳米线阵列材料在异质结接触界面附近的纳米线规整、均匀，从而进一步提升非金属‑金属异质结纳米线阵列器件性能。