公开/公告号CN111883648B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN202010717354.3
申请日2020-07-23
分类号H01L41/253(20130101);H01L41/312(20130101);H01L41/04(20060101);H01L41/08(20060101);H01L41/083(20060101);H03H9/56(20060101);
代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;
代理人郝传鑫;贾允
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 11:49:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L41/253 专利号:ZL2020107173543 登记生效日:20220224 变更事项:专利权人 变更前权利人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所 变更后权利人:上海新硅聚合半导体有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:200050 上海市长宁区长宁路865号 变更后权利人:201800 上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J
专利申请权、专利权的转移
机译: 压电薄膜,压电薄膜装置,靶材,压电薄膜的制造方法以及压电薄膜装置
机译: 用于形成压电薄膜的涂布液,用于制造压电薄膜的涂布液,压电薄膜,制造压电薄膜的方法以及液体喷射头
机译: 压电薄膜,压电薄膜元件和靶材,压电薄膜和压电薄膜元件的制造方法