首页> 中国专利> 一种压电薄膜的制备方法、压电薄膜及带通滤波器

一种压电薄膜的制备方法、压电薄膜及带通滤波器

摘要

本发明公开了一种压电薄膜的制备方法、压电薄膜及带通滤波器,该方法包括:获取多个压电晶圆和多个预设衬底晶圆;对多个压电晶圆进行离子注入,得到多个离子注入后的压电晶圆;多个离子注入后的压电晶圆内具有离子注入损伤层;将多个离子注入后的压电晶圆与多个预设衬底晶圆进行键合,得到多个键合晶圆;对多个键合晶圆进行退火处理,在退火处理过程中,调控多个键合晶圆的面内应力,以调整多个键合晶圆在相应的离子注入损伤层处发生剥离的剥离厚度,得到多个压电薄膜;其中,多个压电薄膜之间的剥离厚度偏差小于第一预设厚度阈值。本发明能够降低不同晶圆剥离厚度之间的片间偏差,提高薄膜剥离厚度的精确性,从而提高压电薄膜晶圆的良品率。

著录项

  • 公开/公告号CN111883648B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010717354.3

  • 申请日2020-07-23

  • 分类号H01L41/253(20130101);H01L41/312(20130101);H01L41/04(20060101);H01L41/08(20060101);H01L41/083(20060101);H03H9/56(20060101);

  • 代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;

  • 代理人郝传鑫;贾允

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

  • 入库时间 2022-08-23 11:49:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-08

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L41/253 专利号:ZL2020107173543 登记生效日:20220224 变更事项:专利权人 变更前权利人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所 变更后权利人:上海新硅聚合半导体有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:200050 上海市长宁区长宁路865号 变更后权利人:201800 上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J

    专利申请权、专利权的转移

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号