触发电压可调的双向ESD保护器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种触发电压可调的双向ESD保护器件及其制备方法，包括：衬底；深N阱；N阱及P阱，N阱包括中心区域及延伸区域，延伸区域与P阱依次交替分布并环绕于中心区域外侧；第一及第二P+注入区，第一P+注入区位于N阱的延伸区域且与P阱不接触，第二P+注入区位于N阱的中心区域且与P阱接触；N+注入区，设置于P阱中且与第二P+注入区不接触。本发明的触发电压可调的双向ESD保护器件及其制备方法将基区浮空的PNP三极管与PN结并联，可有效克服击穿电压低的问题；通过八边形结构并联多个PNP三极管与PN结，大大提高泄放电流的能力，且器件体积小、成本低；通过调整多边形结构的接触边缘尺寸可实现触发电压的调节。