硅基肖特基势垒红外光检测器

摘要

通过在一光波导的一部分上设置一含金属的条(优选地，为硅化物)，一种硅基红外(IR)光检测器被形成在硅绝缘体(silicon-on-insulator，SOI)结构内，其中所述光波导形成在所述SOI结构的一个平面硅表层(即，“平面SOI层”)内，所述平面SOI层的厚度小于一微米。由于所述基于SOI的结构具有相对较低的暗电流，并且能够采用相对较小的表面硅化物条收集光电流，所述光检测器可以在室温下工作。根据需要，所述平面SOI层可以掺杂，并且所述硅化物条的几何结构可以进行改进，以获得相对于现有技术的硅基光检测器改进的结果。