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具有源极结构的三维存储设备和用于形成其的方法

摘要

提供了用于形成三维(3D)存储设备的结构和方法的实施例。在一示例中,3D存储设备包括存储叠层、多个沟道结构和源极结构。存储叠层在衬底之上并且包括交错的多个导体层和多个绝缘层。多个沟道结构在存储叠层中垂直地延伸。源极结构在存储叠层中延伸。源极结构包括多个源极接触部,各源极接触部在各自的绝缘结构中,以及多个源极接触部中的两个邻近源极接触部互相导电地连接。

著录项

  • 公开/公告号CN110622312B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;

    申请/专利号CN201980001778.5

  • 申请日2019-08-13

  • 分类号H01L27/11578(20170101);H01L27/11582(20170101);H01L27/11563(20170101);H01L27/11568(20170101);

  • 代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;

  • 代理人张殿慧;刘健

  • 地址 430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

  • 入库时间 2022-08-23 11:47:40

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