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公开/公告号CN110869698B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-14
原文格式PDF
申请/专利权人 科磊股份有限公司;
申请/专利号CN201880044707.9
发明设计人 M·尼尔;M·苏辛西科;N·马尔科娃;
申请日2018-07-25
分类号G01B11/06(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人刘丽楠
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 11:47:35
机译: 使用有效介质近似进行多层膜测量
机译: 光学膜厚控制方法,光学膜厚控制装置,电介质多层膜制造装置以及使用该控制装置或制造装置制造的电介质多层膜
机译:重新审视全介电亚波长多层多层的有效介质近似:故障和重建(Vol 96,035439,2017)
机译:深亚波长全介电多层介质中有效介质近似分解的实验证明
机译:二氧化硅纳米颗粒Langmuir-Blodgett膜的椭偏法用于验证有效介质近似的有效性
机译:用于亚波长多层的高级有效介质近似,可以克服麦克斯韦-加内特方法的故障
机译:纤维状和粒状介质中有效的介质近似和胶体颗粒沉积
机译:延迟贴现的准确特征:使用近似贝叶斯模型选择和统一贴现度量的多重模型方法
机译:深亚波长全电介质多层膜的有效介质近似:何时发生故障?
机译:使用交联聚电解质多层膜作为超薄电介质材料的有机电子器件